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STMicroelectronics
2018/07/19
意法半导体高功率电子熔断器集成增值保护功能，提高安全性和可靠性
意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower™MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。
当与主电源轨串联时，STEF01可以防止过流和过压损坏负载，电压被限制在用户使用外部电阻预设的最大电压值以下，通过控制内部功率MOSFET，过大的电流被限制在预设的安全限值以下，当检测到过流较强或短路时，过流则降至下限。
STEF01利用意法半导体的BCD8高压工艺集成增值保护功能，例如，dV / dt控制可以防止浪涌电流在启动或热插拔期间过大，然而这会使输出电压上升时间减慢到至少3ms，如果需要加快上升时间，可以连接一个外部电容；可编程欠压锁定（UVLO）也可使用外部元件设置电压值，允许用户微调所需的电源轨最小电压值，以满足负载要求。
其它产品特性包括带有闩锁或自动重试的热关断功能和最大耗散功率保护，在启动进入高容性负载时，或在大负载瞬态或高压短路期间，每个保护功能都可以防止特别高的功率损坏STEF01。该产品还配备一个电源正常指示灯和一个可用于监视状态或控制设备的使能/故障引脚，以及一个控制外部N沟道MOSFET的专用栅极驱动器输出，以简化反向电流保护设计。
STEF01为各种应用提供灵活方便的保护功能，包括工业热插拔板和控制设备、断路器、电源总线、安全监控或照明系统、电信电源模块或分布式电源系统。
STEF01采用14引脚的HTSSOP14封装，现已上市。
